變頻器IGBT模塊燒毀往往是因為模塊被錯誤觸發(fā),而導(dǎo)致直流母線經(jīng)模塊短路,從而燒毀IGBT逆變模塊,并有可能進(jìn)而燒毀保險以及整流模塊。如西門子MM430系列變頻器沒有配置保險,IGBT模塊燒毀,整流模塊基本上也會被燒毀。
閱讀更多變頻器IGBT模塊燒毀往往是因為模塊被錯誤觸發(fā),而導(dǎo)致直流母線經(jīng)模塊短路,從而燒毀IGBT逆變模塊,并有可能進(jìn)而燒毀保險以及整流模塊。如西門子MM430系列變頻器沒有配置保險,IGBT模塊燒毀,整流模塊基本上也會被燒毀。
閱讀更多變頻器故障無法運行,在維修過程中,經(jīng)常出現(xiàn)充電電阻損壞的情況。可以測量變頻器接線端子P1、P(+)兩點間的電阻值,如果無窮大即為電阻開路。
閱讀更多
變頻器包括整流電路和逆變電路,輸入的交流電經(jīng)過整流電路和平波回路,轉(zhuǎn)換成直流電壓,再通過逆變器把直流電壓變換成不同寬度的脈沖電壓(稱為脈寬調(diào)制電壓,PWM)。用這個PWM電壓驅(qū)動電機(jī),就可以起到調(diào)整電機(jī)力矩和速度的目的。 但同樣,變頻器的工作原理注定其會產(chǎn)生強電磁干擾,主要包括三種:
閱讀更多IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達(dá)林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點,具備易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 等特點,已逐步取代晶閘管和GTO(門極可關(guān)斷晶閘管),是目前發(fā)展最為迅速的新一代電力電子器件,也是變頻器的重要元件之一。
閱讀更多一臺阿爾法變頻器,畫出U相上下臂IGBT的驅(qū)動電路圖,可以看到,每相下臂IGBT的驅(qū)動電路共用D51、E32直流電源。驅(qū)動供電也由穩(wěn)壓電路分為+15V和-7.2V兩路電源,以形成對IGBT供電的+15V激勵電壓回路和-7.2V的截止電壓回路。驅(qū)動IC(A316J)的左側(cè)引腳為輸入側(cè)電路,右側(cè)引腳為輸出側(cè)電路。無論是脈沖信號還是OC故障信號,都由內(nèi)部光耦合器電路相隔離。由PC929相比,因內(nèi)部已有對OC信號的隔離,可省去外接光耦合器,并且脈沖信號、OC信號和故障復(fù)位信號可經(jīng)控制端子CNN1直接與CPU脈沖輸出引腳相連。在有的變頻器電路中,僅是下三臂IGBT驅(qū)動電路采用A316J,上三管采用TLP250等。
閱讀更多